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电子信息技术研究所

电子信息技术研究所——量子信息技术研究中心

  一、中心定位   

  聚焦基于量子材料的光电子、光子学和太赫兹技术基础应用研究。 

  二、研究方向 

  中心主要研究方向为基于新型低维半导体材料制备技术的广谱和高性能光探测技术研究,以及太赫兹探测在生物分子成像技术上的应用等研究。 

  三、团队人才 

   中心包括研究员2名,副研究员3名。 

  四、代表性成果 

  1.  Substantially Enhanced Properties of CVD grown 2D WS2: High Concentration of Caption Substitutional Doping by Erbium against Vacancy Generation, Research, 2022, Doi.org/10.34133/2022/9840970. 

  2.  Fast and Broadband Photoresponse of a Few-Layer GeSe Field E?ect Transistor with Direct Band GapsACS Appl. Mater. Interfaces 2019, 11, 3803138038.  

  3.  Band structure and photoelectric characterization of GeSe monolayer, Advacend Functional Materials, 2018, 28, 1704855. 

  4. Preparation of Mixed Few-Layer GeSe Nanosheets with High Efficiency by the Thermal Sublimation Method, ACS Appl. Mater. Interfaces 2023, 15, 33, 39732–39739. 

  5.  Supersensitive and Broadband Photodetectors Based on High Concentration of Er3+/Yb3+ Co-doped WS2 Monolayer, Advanced Optical Materials, 2023, DOI: 10.1002/adom.202302229. 

  五、联系方式  

   赵洪泉,hqzhao@cigit.ac.cn, 18908319866